12月11日消息，海力SK海力士宣布與將NVIDIA展開深度合作，士聯手N升倍共同開發(fā)下一代AI NAND解決方案，發(fā)下旨在解決AI運算與存儲之間長期存在的海力瓶頸問題。

這款突破性產品預計在2026年底推出首批樣本，士聯手N升倍其性能相較現有產品將提升近10倍。發(fā)下

SK海力士副社長Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半導體未來技術會議（AISFC）”上指出，海力SK海力士正專注于針對數據中心和邊緣計算的士聯手N升倍不同需求，開發(fā)高附加值的發(fā)下AI內存產品。

在AI數據中心領域，海力SK海力士正在開發(fā)一套名為“AIN Family”的士聯手N升倍產品線，該產品線由三種不同側重點的發(fā)下NAND解決方案組成，分別針對性能（AI-NP）、海力頻寬（AI-NB）和容量（AI-ND）進行優(yōu)化。士聯手N升倍

其中，發(fā)下AI-NP是專為大規(guī)模AI推論環(huán)境設計的核心解決方案，其目標是通過全新的NAND與控制器架構，最大限度地降低AI運算與存儲之間的數據瓶頸，從而大幅提升處理速度和能源效率。

Kim Cheon-seong透露，SK海力士正加速與NVIDIA合作進行AI-NP的概念驗證，預計在2026年底將推出采用PCIe Gen 6接口的版本，并支持2500萬次IOPS。

目前數據中心高性能企業(yè)級SSD的IOPS最高約在300萬次左右，換言之，AI-NP的首批樣本性能將是現有產品的8至10倍。

SK海力士預期在2027年底左右，將推動支持1億次IOPS的第二代AI-NP產品量產，屆時其性能有望達到現有eSSD的30倍以上。

除了AI-NP，SK海力士還在優(yōu)化AI-NB產品，即高頻寬閃存（HBF），其概念類似于HBM內存，但HBM是通過堆疊DRAM實現的，而HBF則是通過堆疊NAND閃存來制造。