12月17日消息，星宣型內(nèi)據(jù)The 布突Elec報(bào)道，三星宣布與三星先進(jìn)技術(shù)研究所已成功開(kāi)發(fā)出一種新型晶體管，術(shù)新能夠?qū)崿F(xiàn)在10納米以下制程節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)DRAM。存容

這一突破有望解決移動(dòng)內(nèi)存進(jìn)一步微縮所面臨的量性關(guān)鍵物理挑戰(zhàn)，為未來(lái)設(shè)備帶來(lái)更高的星宣型內(nèi)容量與性能表現(xiàn)。

傳統(tǒng)DRAM制程的布突微縮在進(jìn)入10納米以下節(jié)點(diǎn)后，因物理極限而面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。術(shù)新

三星此次推出的存容“高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”具備極佳的高溫穩(wěn)定性，可在高達(dá)攝氏550度的量性條件下保持性能不衰退，從而適應(yīng)先進(jìn)制造工藝的星宣型內(nèi)要求。

該晶體管采用垂直溝道設(shè)計(jì)，布突溝道長(zhǎng)度僅為100納米，術(shù)新且可與單片CoP DRAM架構(gòu)集成。存容測(cè)試結(jié)果顯示，量性其漏極電流表現(xiàn)穩(wěn)定，在長(zhǎng)期老化測(cè)試中也保持了良好的可靠性。

三星表示，該技術(shù)計(jì)劃應(yīng)用于未來(lái)的0a與0b級(jí)別DRAM產(chǎn)品中，目前仍處于研究階段。

預(yù)計(jì)搭載該技術(shù)的存儲(chǔ)芯片將有助于三星在高密度內(nèi)存市場(chǎng)保持競(jìng)爭(zhēng)力，并有望于2026年起陸續(xù)應(yīng)用于終端設(shè)備中。