11月14日消息，韓系據(jù)媒體報道，雙雄市場三星與SK海力士已將目光投向更遠代的加速HBM4E，正加緊布局以應(yīng)對下一代高端存儲競爭。攻占隨著新一代AI加速器首次引入基于HBM4的韓系定制化設(shè)計，HBM在提升性能與降低延遲方面的雙雄市場作用愈發(fā)關(guān)鍵。

進入HBM4E階段后，加速產(chǎn)業(yè)有望進一步從標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品轉(zhuǎn)向定制化解決方案，攻占核心部件將按客戶需求進行專門設(shè)計。韓系這一轉(zhuǎn)變預(yù)計將成為影響供應(yīng)商市場競爭格局的雙雄市場關(guān)鍵因素。

目前，加速三星與SK海力士均計劃于2026年上半年完成HBM4E的攻占開發(fā)。由于搭載該內(nèi)存的韓系A(chǔ)I加速器預(yù)計將在2027年上市，兩家公司需在2026年下半年完成質(zhì)量驗證，雙雄市場因此正全力提速研發(fā)進程，加速以確保產(chǎn)品如期推進。

在定制化HBM設(shè)計中，基礎(chǔ)裸片可根據(jù)客戶特定需求進行設(shè)計與制造。這對DRAM廠商的設(shè)計能力與生產(chǎn)工藝提出更高要求，唯有具備快速響應(yīng)實力的企業(yè)才能在此領(lǐng)域占據(jù)先機。

從HBM4開始，三星已采用自家代工生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片，這或許構(gòu)成其競爭優(yōu)勢的基礎(chǔ)。SK海力士雖同樣轉(zhuǎn)向代工模式，但選擇與臺積電合作共同開發(fā)HBM產(chǎn)品。而美光出于成本考慮，在HBM4階段仍沿用DRAM工藝生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片，計劃到HBM4E再轉(zhuǎn)由臺積電代工。

有分析指出，HBM4E有望在兩年內(nèi)成為HBM市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計到2027年將占據(jù)約40%的市場份額。