11月26日消息，布新?lián)襟w報(bào)道，內(nèi)存Tachyum發(fā)布全新TDIMM內(nèi)存技術(shù)，技術(shù)致力于為AI與高性能計(jì)算提供更高帶寬、單條帶寬達(dá)更大容量與更低能耗的布新解決方案。

該技術(shù)基于Prodigy Ultimate處理器平臺(tái)打造，內(nèi)存單條TDIMM帶寬可達(dá)281 GB/s，技術(shù)較當(dāng)前主流DDR5提升5.5倍。單條帶寬達(dá)Prodigy Ultimate處理器配備24個(gè)內(nèi)存通道，布新系統(tǒng)總帶寬高達(dá)6.7 TB/s，內(nèi)存約為12通道CPU的技術(shù)11倍。在容量方面，單條帶寬達(dá)TDIMM標(biāo)準(zhǔn)版本為256 GB，布新并可擴(kuò)展至512 GB的內(nèi)存“加高版”與1 TB的“超高版”設(shè)計(jì)；若結(jié)合TSV硅通孔技術(shù)，更可實(shí)現(xiàn)在單節(jié)點(diǎn)內(nèi)高達(dá)3 PB的技術(shù)總內(nèi)存容量。

接口設(shè)計(jì)上，TDIMM采用484pin封裝與206個(gè)信號(hào)引腳，較DDR5 RDIMM的288pin與146個(gè)信號(hào)僅增加38%，數(shù)據(jù)寬度卻從64位擴(kuò)展至128位。Tachyum指出，TDIMM所需DRAM數(shù)量比DDR5 RDIMM減少10%，成本預(yù)計(jì)降低約10%，其物理尺寸與標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DIMM兼容，僅需調(diào)整塑膠模具即可投產(chǎn)。

能耗方面，TDIMM單次激活18顆DRAM，低于DDR5 RDIMM的20顆；盡管高頻信號(hào)切換導(dǎo)致引腳功耗上升約30%，但通過(guò)采用更新型DRAM可使其功耗回落至DDR5 RDIMM水平。

Tachyum強(qiáng)調(diào)，TDIMM技術(shù)無(wú)需等待DDR6標(biāo)準(zhǔn)到來(lái)即可實(shí)現(xiàn)帶寬翻倍，未來(lái)僅需對(duì)控制器稍作修改，即可在2027年實(shí)現(xiàn)13.5 TB/s帶寬，并于2028年進(jìn)一步擴(kuò)展至27 TB/s。

該公司計(jì)劃將TDIMM技術(shù)完全開(kāi)源，并向企業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC免費(fèi)授權(quán)，以推動(dòng)其低成本與規(guī)?；瘧?yīng)用。

Tachyum創(chuàng)始人兼CEO Radoslav Danilak表示，TDIMM是實(shí)現(xiàn)在2028年將“覆蓋全部知識(shí)”的AI訓(xùn)練系統(tǒng)成本，從8萬(wàn)億美元與276吉瓦電力大幅削減至780億美元與1吉瓦的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。公司也將持續(xù)開(kāi)放其指令集架構(gòu)與軟件堆棧，并于今年公布更多開(kāi)源內(nèi)容。