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12月11日消息,SK海力士宣布與將NVIDIA展開深度合作,共同開發(fā)下一代AI NAND解決方案,旨在解決AI運(yùn)算與存儲(chǔ)之間長(zhǎng)期存在的瓶頸問題。這款突破性產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2026年底推出首批樣本,其性能相

SK海力士聯(lián)手NVIDIA開發(fā)下一代AI NAND:性能提升10倍!

12月11日消息,海力SK海力士宣布與將NVIDIA展開深度合作,士聯(lián)手N升倍共同開發(fā)下一代AI NAND解決方案,發(fā)下旨在解決AI運(yùn)算與存儲(chǔ)之間長(zhǎng)期存在的海力瓶頸問題。

這款突破性產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2026年底推出首批樣本,士聯(lián)手N升倍其性能相較現(xiàn)有產(chǎn)品將提升近10倍。發(fā)下

SK海力士副社長(zhǎng)Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半導(dǎo)體未來技術(shù)會(huì)議(AISFC)”上指出,海力SK海力士正專注于針對(duì)數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算的士聯(lián)手N升倍不同需求,開發(fā)高附加值的發(fā)下AI內(nèi)存產(chǎn)品。

在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,海力SK海力士正在開發(fā)一套名為“AIN Family”的士聯(lián)手N升倍產(chǎn)品線,該產(chǎn)品線由三種不同側(cè)重點(diǎn)的發(fā)下NAND解決方案組成,分別針對(duì)性能(AI-NP)、海力頻寬(AI-NB)和容量(AI-ND)進(jìn)行優(yōu)化。士聯(lián)手N升倍

其中,發(fā)下AI-NP是專為大規(guī)模AI推論環(huán)境設(shè)計(jì)的核心解決方案,其目標(biāo)是通過全新的NAND與控制器架構(gòu),最大限度地降低AI運(yùn)算與存儲(chǔ)之間的數(shù)據(jù)瓶頸,從而大幅提升處理速度和能源效率。

Kim Cheon-seong透露,SK海力士正加速與NVIDIA合作進(jìn)行AI-NP的概念驗(yàn)證,預(yù)計(jì)在2026年底將推出采用PCIe Gen 6接口的版本,并支持2500萬次IOPS。

目前數(shù)據(jù)中心高性能企業(yè)級(jí)SSD的IOPS最高約在300萬次左右,換言之,AI-NP的首批樣本性能將是現(xiàn)有產(chǎn)品的8至10倍。

SK海力士預(yù)期在2027年底左右,將推動(dòng)支持1億次IOPS的第二代AI-NP產(chǎn)品量產(chǎn),屆時(shí)其性能有望達(dá)到現(xiàn)有eSSD的30倍以上。

除了AI-NP,SK海力士還在優(yōu)化AI-NB產(chǎn)品,即高頻寬閃存(HBF),其概念類似于HBM內(nèi)存,但HBM是通過堆疊DRAM實(shí)現(xiàn)的,而HBF則是通過堆疊NAND閃存來制造。

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