12月8日消息，內(nèi)存根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）發(fā)布的市場(chǎng)數(shù)據(jù)，在AI需求的瘋月強(qiáng)力推動(dòng)下，2025年10月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到713億美元，全球同比激增33%。銷售

其中，額暴DRAM的內(nèi)存銷售額同比飆升90%，高達(dá)128.2億美元（約合人民幣906億元），市場(chǎng)成為推動(dòng)全球半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)的瘋月最大驅(qū)動(dòng)力。

其他芯片方面，全球NAND閃存銷售額同比增長(zhǎng)13%，銷售達(dá)到51.3億美元；模擬芯片銷售額同比增長(zhǎng)18%至79.3億美元；微控制器（MCU）銷售額同比增長(zhǎng)18%，額暴達(dá)到18.8億美元。內(nèi)存

DRAM 銷售的市場(chǎng)狂熱增長(zhǎng)，主因是瘋月AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求激增，但全球產(chǎn)能卻跟不上。

分析指出，目前大量行業(yè)產(chǎn)能正在向高利潤(rùn)HBM轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致了標(biāo)準(zhǔn)DRAM和3D NAND的晶圓產(chǎn)出減少，由于建設(shè)新產(chǎn)能通常需要數(shù)年時(shí)間，市場(chǎng)緊張局勢(shì)在2027年底或2028年前恐難實(shí)質(zhì)性緩解。

TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，自今年2月以來(lái)，部分存儲(chǔ)芯片價(jià)格已上漲超過(guò)一倍，DRAM供應(yīng)商的平均庫(kù)存水平也從2024年底的13至17周，一路驟降至10月的2至4周。

TrendForce資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，鑒于買(mǎi)方資金實(shí)力雄厚，傾向于維持更高庫(kù)存水平，實(shí)際采購(gòu)量將顯著超出2026年的66%、2027年的70%預(yù)測(cè)值，導(dǎo)致PC、智能手機(jī)等消費(fèi)終端可獲得的DRAM分配量進(jìn)一步收縮。