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三星首發(fā)LPDDR6內(nèi)存 上來(lái)就是10.7Gbps!未來(lái)沖擊14.4Gbps

時(shí)間:2025-12-18 02:56:28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 編輯:知識(shí)

核心提示

11月9日消息,三星確認(rèn),將在CES 2026展示全球首款LPDDR6內(nèi)存,上來(lái)就能做到10.7Gbps的高速率,也可以說(shuō)是10.7GT/s、10.7GHz。LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)是今年7月份正式發(fā)布的

11月9日消息,星首三星確認(rèn),內(nèi)存將在CES 2026展示全球首款LPDDR6內(nèi)存,沖擊上來(lái)就能做到10.7Gbps的星首高速率,也可以說(shuō)是內(nèi)存10.7GT/s、10.7GHz。沖擊

LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)是星首今年7月份正式發(fā)布的,雙子通道架構(gòu),內(nèi)存不過(guò)JEDEC官方并未公布具體速率,沖擊據(jù)說(shuō)就是星首起步10.7Gbps,最高可到14.4Gbps。內(nèi)存

相比之下,沖擊LPDDR4、星首LPDDR4X、內(nèi)存LPDDR5、沖擊LPDDRX的起步速率分別為3200Mbps、4266Mbps、6400Mbps、8533Mpbs。

SK海力士自己做的LPDDR5T則能跑到9600Mbps,但即便如此還沒(méi)到LPDDR6的門檻。

三星的LPDDR6內(nèi)存將采用12nm先進(jìn)工藝,還擴(kuò)展了IO,以盡可能提升速率和帶寬。

同時(shí)具備動(dòng)態(tài)電源管理系統(tǒng),可根據(jù)負(fù)載智能降低功耗,比LPDDR5系列節(jié)省最多21%。

事實(shí)上,LPDDR6本身就進(jìn)一步降低了電壓和功耗,采用VDD2供電和雙電源供電,還有其他一系列節(jié)能措施。

SK海力士、美光、高通、聯(lián)發(fā)科等也都在加緊測(cè)試LPDDR6內(nèi)存新品,CES 2026上必然也會(huì)有進(jìn)一步消息。

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