12月8日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球?qū)＠V訟持續(xù)多年之后，首次長(zhǎng)江存儲(chǔ)首次在中國(guó)本土對(duì)美國(guó)存儲(chǔ)巨頭美光科技的對(duì)美中國(guó)專利發(fā)起了無(wú)效挑戰(zhàn)。

2025年12月3日至4日，光中國(guó)專國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局先后公開(kāi)了三起長(zhǎng)江存儲(chǔ)挑戰(zhàn)美光3D存儲(chǔ)專利的起無(wú)案件信息。

涉及的效挑三項(xiàng)專利名稱分別是：具有大致垂直的鄰近半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器陣列及其形成、三維存儲(chǔ)器及形成所述三維存儲(chǔ)器的長(zhǎng)江存儲(chǔ)方法、電荷存儲(chǔ)設(shè)備、首次系統(tǒng)及方法。對(duì)美

目前，光中國(guó)專美國(guó)專利局目前正在對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)對(duì)美光專利提起的起無(wú)兩起專利無(wú)效IPRs請(qǐng)求進(jìn)行“國(guó)家安全審查”。

11月10日，效挑美國(guó)專利商標(biāo)局要求長(zhǎng)江存儲(chǔ)給出理由，長(zhǎng)江存儲(chǔ)解釋為何在已被列入實(shí)體清單的首次情況下，其IPR申請(qǐng)仍應(yīng)被受理。對(duì)美

值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光在中國(guó)的這三項(xiàng)專利發(fā)起無(wú)效的時(shí)間是在9月底和10月，早于美國(guó)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施“國(guó)家安全審查”之前，二者之間并無(wú)直接關(guān)聯(lián)。

美光也在中國(guó)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的至少8件專利發(fā)起了無(wú)效挑戰(zhàn)，但由于中國(guó)專利局尚沒(méi)有類(lèi)似可以拒絕受理的規(guī)定，美光發(fā)起的這些挑戰(zhàn)目前均處于正在審理階段。