存儲芯片漲價風暴前所未有!大摩上調(diào)三星、SK海力士目標價
華爾街大行摩根士丹利近日發(fā)布了一份名為《內(nèi)存——最強定價權(quán)》(Memory–Maximum Pricing Power)的存儲報告,闡述了其對內(nèi)存行業(yè)的芯片星最新看法。
摩根士丹利在報告中上調(diào)了韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子和SK海力士的風暴目標股價。這一做法基于該行最近強調(diào)的大摩“存儲芯片將迎來超級周期”的判斷。
具體而言,上調(diào)摩根士丹利將三星電子的力士目標股價設(shè)定為14.4萬韓元(較最新收盤價103100韓元高出近40%)。該行還預(yù)測,目標在牛市行情下,存儲該股可能會漲至17.5萬韓元。芯片星
該行將SK海力士的風暴目標價設(shè)定在73萬韓元(較最新收盤價617000韓元高出近20%),并預(yù)測,大摩在牛市行情下,上調(diào)該股有望漲至85萬韓元。力士
摩根士丹利解釋道:“存儲行業(yè)投資很簡單”,目標并指出 “在周期上行階段,存儲利潤率會擴大、股價會上漲、企業(yè)創(chuàng)造巨額利潤,投資者則從中獲得高回報”。
需要指出的是,這是摩根士丹利在大約一個月的時間內(nèi)第二次上調(diào)韓國兩大存儲芯片巨頭的目標價。10月9日,該行將三星電子目標股價上調(diào)至11萬韓元,SK海力士目標股價上調(diào)至48萬韓元。
摩根士丹利在最新報告中稱,受超大規(guī)模人工智能運營商之間競爭的推動,預(yù)計動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 和NAND閃存的價格將繼續(xù)上漲,這些運營商對組件成本的敏感度較低。
此前,摩根士丹利曾發(fā)布《寒冬將至》和《存儲器——冰山隱現(xiàn)》等報告對存儲半導體行業(yè)表達了負面看法,但從今年開始轉(zhuǎn)為看好該行業(yè),并認為今年該行業(yè)“可能迎來暖冬”。
這一轉(zhuǎn)變的依據(jù)是存儲半導體超級周期。今年9月,摩根史丹利就發(fā)布相關(guān)研報,并提出AI浪潮正推動存儲芯片行業(yè)迎來 “超級周期”。
摩根士丹利在最新報告中指出,“DRAM的價格已經(jīng)超過了歷史最高水平。”該行評估認為,“新的(存儲)價格峰值通常會催生新的股價峰值,而這一次有強勁的盈利作為支撐。”
該行指出,“人工智能 (AI) 的長期增長動力依然強勁,內(nèi)存價格的上漲已進入前所未有的領(lǐng)域,考慮到當前周期的強勁勢頭,盈利前景相當可觀。”
摩根士丹利特別指出:“各方都在爭相建設(shè)AI基礎(chǔ)設(shè)施,并基于此開發(fā)應(yīng)用、工具及服務(wù)”,同時判斷 “我們?nèi)蕴幱谶@一進程的早期階段”。
事實上,內(nèi)存價格正在快速上漲。DDR5 (16Gb) 現(xiàn)貨價格已從9月份的7.5美元飆升至20.9 美元,漲幅高達336%,遠遠超出預(yù)期。
摩根士丹利還表示:“雖然服務(wù)器DRAM價格尚未達到峰值(目前為1美元/Gb,2018年一季度料為1.25美元/Gb),但這可作為衡量潛在上漲空間的參考”,并預(yù)測,“考慮到人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資的規(guī)模和超大規(guī)??蛻舻膭討B(tài)變化,此次價格峰值將超過2018年初云計算超級周期的高點。”
該行還預(yù)測,DRAM價格將在未來幾周內(nèi)繼續(xù)大幅上漲,而受強勁的企業(yè)固態(tài)硬盤 (eSSD) 訂單的推動,NAND合約價格在第四季度可能會上漲20%至30%。
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