11月20日消息，內(nèi)存Counterpoint的價格一份報告， 再次引發(fā)外界對內(nèi)存繼續(xù)漲價的全亂擔憂。

根據(jù) Counterpoint Research 最新發(fā)布的到底《GenAI 的內(nèi)存解決方案》雙周報告，內(nèi)存價格預計將在2026年Q2之前，內(nèi)存在當前基礎(chǔ)上再上漲約50%。價格

據(jù)悉，全亂受關(guān)鍵芯片短缺影響，到底今年以來內(nèi)存價格已累計上漲50% 。內(nèi)存在此基礎(chǔ)上，價格內(nèi)存價格預計將在2025年Q4繼續(xù)上漲 30%，全亂并可能在明年初再上升約20%。到底

目前，內(nèi)存?zhèn)鹘y(tǒng) LPDDR4 面臨的價格漲價風險最大。

當前的全亂核心問題之一是傳統(tǒng)LPDDR4供給趨緊。為了滿足AI對先進新品的強勁需求，供應(yīng)商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的工藝，導致整體市場結(jié)構(gòu)被打亂。

于是，現(xiàn)貨市場價格出現(xiàn)倒掛：服務(wù)器和PC使用的DDR5交易價格約為Gb 1.50 美元，而用于消費電子產(chǎn)品的老款 DDR4價格卻高達2.10美元（比DDR5貴了40%），甚至高于目前約1.70 美元的先進HBM3e。

報告指出，當前的芯片短缺主要集中在傳統(tǒng)產(chǎn)品端，這對使用LPDDR4的經(jīng)濟型智能手機等低價消費電子產(chǎn)品造成了影響。

“真正更大的風險來自先進內(nèi)存，英偉達近期轉(zhuǎn)向 LPDDR意味著其需求量已達到大型智能手機制造商的規(guī)模——這對供應(yīng)鏈來說是一個巨大的沖擊，因為它無法輕易消化如此大規(guī)模的需求。”

傳統(tǒng)上，服務(wù)器依賴DDR ECC（糾錯碼）內(nèi)存以保證可靠性，而英偉達選擇轉(zhuǎn)向使用 LPDDR，以實現(xiàn)更低的功耗，并將糾錯邏輯轉(zhuǎn)移到CPU側(cè)，而非依賴 DDR5 ECC。

目前的短缺主要出現(xiàn)在中低端智能手機市場，對經(jīng)濟型智能手機制造商造成了沖擊。“但這種影響很可能會向整個智能手機與消費電子生態(tài)系統(tǒng)蔓延。”

高級分析師Ivan Lam表示，“我們所看到的是智能手機BOM成本的顯著攀升，部分機型的漲幅可能達15%。這將波及核心的中高端市場，進一步壓縮利潤率或拖累增長，甚至很可能兩者同時發(fā)生。”