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時間:2025-12-19 00:22:56 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 編輯:百科
12月18日消息,近日,Intel宣布已安裝ASML最新的TWINSCAN EXE:5200B光刻系統(tǒng),這是全球首套、也是目前最先進(jìn)的第二代High-NA EUV光刻系統(tǒng),將用于Intel 14A節(jié)點
12月18日消息,全球近日,最先Intel宣布已安裝ASML最新的安裝TWINSCAN EXE:5200B光刻系統(tǒng),這是首套全球首套、也是全球目前最先進(jìn)的第二代High-NA EUV光刻系統(tǒng),將用于Intel 14A節(jié)點制程。最先
此前,安裝Intel曾于2023年底接收了首套High-NA EUV機(jī)型EXE:5000,首套并在俄勒岡州的全球Fab D1X工廠完成了早期技術(shù)研發(fā)與人才儲備,而此次落地的最先 EXE:5200B 則在生產(chǎn)力與精度上實現(xiàn)了提升。
Intel指出,安裝在與ASML的首套合作下,已成功證明了最先進(jìn)的全球光刻設(shè)備,在提供改進(jìn)的最先精度和生產(chǎn)力方面的技術(shù)可行性,為High NA EUV設(shè)備未來的安裝大量制造奠定了基礎(chǔ)。
根據(jù)官方資料,EXE:5200B在標(biāo)準(zhǔn)條件下的產(chǎn)能可達(dá)每小時175片晶圓,但I(xiàn)ntel計劃通過進(jìn)一步的系統(tǒng)調(diào)整,將產(chǎn)出率推高至每小時200片晶圓以上。
新系統(tǒng)還在Intel過去一年多對High-NA EUV光刻設(shè)備的使用經(jīng)驗之上,提升了套刻精度達(dá)到了0.7nm。
Intel表示,High-NA EUV光刻設(shè)備是其晶圓代工中的重要能力,結(jié)合了自身在掩模、蝕刻、解析度增強(qiáng)和計量等相關(guān)領(lǐng)域的技能,達(dá)成了當(dāng)今芯片所需的更精細(xì)晶體管細(xì)節(jié)。
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