說個冷知識，內(nèi)存雖然咱們最終都能通過拆機或者實測的瘋狂方式，了解到每代 iPhone 的理多內(nèi)存和電池容量。但其實蘋果從初代 iPhone 開始，由又就沒在官網(wǎng)上面標過這些具體數(shù)值。內(nèi)存

所以大部分人并不一定了解，瘋狂iPhone 標準版的理多內(nèi)存，往往會比 Pro 系列小那么一截。由又

iPhone?內(nèi)存16 全系標配 8?GB 內(nèi)存，但 Pro 系列的瘋狂內(nèi)存規(guī)格更高

現(xiàn)在又有個新情況，因為這段時間消費級內(nèi)存變得供不應求，理多開始大幅漲價。由又托尼在網(wǎng)上看到有種說法是內(nèi)存，安卓廠商可能也要跟著 “學壞了”，瘋狂開始琢磨偷偷給手機配置降級。理多

換句話說，無論你明年想換 iPhone 還是其他品牌的手機，最好都看一眼內(nèi)存的協(xié)議和規(guī)格。因為明年內(nèi)存不光要漲價，而且要換新協(xié)議了，而且新協(xié)議的升級，還挺大的。。。

事情是這樣的，今年 7 月份，JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會公布了最新的 LPDDR6 標準。大概意思就是，LPDDR5 內(nèi)存已經(jīng)用了七年了，“戰(zhàn)未來” 的事兒就交給新協(xié)議吧。

 托尼這里暫時先打斷一下，不少人會把內(nèi)存跟存儲空間搞混，實際上后者的正確叫法是閃存或者外存，用來存資料、裝應用；內(nèi)存大小則直接決定了系統(tǒng)和程序能不能流暢運行。

可能大家比較熟悉的內(nèi)存協(xié)議，是用在電腦上的 DDR。當這類技術被用在手機、平板或者 IoT 設備時，就必須額外關注體積和散熱，尤其要在功耗方面做優(yōu)化，于是就有了 LPDDR，也就是低功耗 Low-Power 版的 DDR。

圖片來源：微機分WekiHome——【享拆】小米 10 Pro 拆解：為了散熱，拼了！

咱們接著說這次的新協(xié)議，表面上看，這次 LPDDR6 標準的內(nèi)容更新，用一句話就能說明白 ——

在前代 LPDDR5 的基礎上，LPDDR6 的頻率和帶寬增加，功耗變低，同時更穩(wěn)定。

 但實際上，LPDDR6 從總線結構，到電源架構，再到可靠性機制都做了大改動。

新協(xié)議再加上肉眼可見的提升，可想而知，LPDDR6 內(nèi)存的價格自然也會更貴。。。

那咱們接下來，就仔細聊聊，LPDDR6 貴在哪里吧 升級點到底是怎么回事吧？

首先，從 LPDDR6 的結構圖就能看出架構的改進——

每個 LPDDR6 芯片包含兩個子通道，單個子通道的位寬為 12?bit，而 LPDDR5 僅僅是 16bit 單通道的設計。

如果把 LPDDR5 的 16bit，形容成一條公路上運行的 16 座大巴，那么 LPDDR6 就是在兩條公路上，各自都能跑一輛 12 座公交的專線。

 雖然看起來，單條線路的座位數(shù)下降了，但實際上兩條通道可以并行工作，數(shù)據(jù)通路就變成 24bit，整體的運載能力（位寬和帶寬）反而會更強。

所以 JEDEC 標準組織就規(guī)定，LPDDR6 的數(shù)據(jù)速率將提升到 10667 - 14400 MT/s 之間，對應的理論峰值帶寬就是32–43 GB/s。。。這是個啥概念呢？

相較最初的 LPDDR5（6400MT/s），單顆 LPDDR6 理論帶寬提升大約是 2.5–3.4 倍；對比目前速率最高的 LPDDR5X （10667MT/s），也有大約 1.5–2 倍的提升。

咱們都知道帶寬的提升，能帶來更快的內(nèi)存訪問速度，也就是應用打開的速度會變得更快，運行程序的流暢度提高；尤其高性能游戲和多任務操作，也需要高速率的內(nèi)存。

 而且還有一點，LPDDR 標準在頒布之后，隨著制作工藝的成熟，是可以不斷 “超頻” 的。就比如一些內(nèi)存芯片廠商，例如三星、美光和海力士，還推出過速率更高的產(chǎn)品。。。

也就是說，這次 LPDDR6 的起手速率，就是 LPDDR5 內(nèi)存超到冒煙才能達到的上限，后續(xù)的規(guī)格很可能還會更高。。。

而且 LPDDR6 這個雙子通道（Dual?Sub?Channel）的架構，除了能提升帶寬，獲得更強的性能，還對功耗控制有很大的加成。

是這樣的，因為 LPDDR6 內(nèi)存的每個子通道擁有獨立的 DQ（數(shù)據(jù)）、CA（命令/尋址）信號線，所以它可以對每條子通道的信號，進行獨立的控制和功耗管理。

這就使得 LPDDR6 內(nèi)存能夠支持三種數(shù)據(jù)傳輸模式的切換，做到帶寬的 “按需分配”：

玩游戲和 AI 推理時，兩條子通道全開，全帶寬滿載運行；像待機這樣的輕負載場景，關閉一半的閑置子通道，但內(nèi)部存儲單元依舊保持刷新，保留數(shù)據(jù)的完整性；靜態(tài)運行時，閑置的子通道長期關閉，進一步降低功耗，適合物聯(lián)網(wǎng)設備。

 設計非常的先進，就是不知道這個東西，啥時候能降價到物聯(lián)網(wǎng)設備也用得起。

除了通道結構上的改進帶來的能效升級，其實 LPDDR6 的電源架構也做了改動，它在 LPDDR5 的多電源架構的基礎上，規(guī)定了更多省電相關的特性。

托尼這里就撿重點說，LPDDR6 的省電核心邏輯，其實就是雙電源設計 + 低電壓運行。

說人話就是，LPDDR?6 強制規(guī)定，將常規(guī)供電（VDD2C）與低功耗供電（VDD2D）分成了兩條電源軌。在內(nèi)存工作的高頻段，使用稍高的電壓保證性能，在空閑時切換到更低的電壓，降低功耗。

 而且 LPDDR6 的VDD2 整體電壓（0.875?V?~?1.0?V），在 LPDDR5（約?0.9?V?~?1.05?V）的基礎上做到了更低，這也意味著更省電。

這原理聽上去合理、樸素而且理所應當，但這實際上需要額外的硬件改動做配合 ——

例如，每條電源軌道要設計檢測電路，并且在芯片封裝時需要額外設計獨立的電源引腳。。?？傊?，這是個復雜的系統(tǒng)性工程。

至于最后一點， LPDDR6 協(xié)議的穩(wěn)定性提升。托尼這里舉一個例子你就懂了 ——

LPDDR?6 依舊有片上糾錯 ECC 機制，而這個機制，以往都是在專業(yè)圖形顯卡和工作站中大家才能看到。

假設沒有 ECC，就會額外多出一些難以發(fā)現(xiàn)的隨機錯誤風險，比如長時間高負載的視頻渲染，進度條跑到 99% 突然崩潰；或者大模型的推理、訓練結果被悄悄算錯，系統(tǒng)也不會給你任何告警。

 我們之前的視頻里也提到過，差評編輯部有臺我們自己買的戴爾工作站。這臺機器價格奇高，但因為 ECC 內(nèi)存更穩(wěn)定，所以遇到剪輯任務非常緊急，一分鐘都不能耽誤的情況，基本會把活兒交給工作站來干，最后我們反而又覺得，貴有貴的道理了。

而現(xiàn)在這個特性，竟然出現(xiàn)在了為移動設備做的內(nèi)存協(xié)議上，可想而知 LPDDR6 的穩(wěn)定性提升幅度有多大了。

其實之前在 LPDDR?5 上也看見過類似的特性，但當時 LPDDR5 只是將 ECC 糾錯作為一個可選特性，而在 LPDDR6 上就是作為標準硬性要求了。

并且 LPDDR6 還附加了命令/地址奇偶校驗、錯誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試（MBIST）等等可靠性相關的特性，托尼這里就不展開講了。大家只需要記住，LPDDR6 增強了內(nèi)存的錯誤檢測能力就可以了。

 當然這個特性其實有一定的代價的，那就是為了安全，會有一部分性能損失 ——

因為 LPDDR6 協(xié)議每次數(shù)據(jù)傳輸?shù)?288bit 數(shù)據(jù)里，只有 256bit 是有效數(shù)據(jù)，剩下的 32bit 是 ECC/DBI 這樣，用于校驗的元數(shù)據(jù)。

所以 LPDDR6 協(xié)議的有效帶寬，會在前面理論值的基礎上打個 9 折，也就是在 28.5 - 38.4 GB/s 這個范圍。但為了整體的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，這部分損耗，托尼認為還是值得的。

對咱們消費者來說，這個新協(xié)議影響最大的，還得是明年發(fā)布的手機，搭載了規(guī)格更新的內(nèi)存，運行速度和多任務處理能力會有提升。

除此之外，輕薄本的性能和體驗也會更好 ——

 因為 CPU 與核顯共享同一個內(nèi)存系統(tǒng)，由于 LPDDR6 大幅增加了帶寬，會給核顯本帶來更高的渲染帶寬。所以托尼也很好奇，LPDDR6 的升級，能不能讓核顯本在面對 3A 游戲的時候，不至于那么雞肋。。。

根據(jù)目前的消息，三星預計最早明年一月份，在 CES 2026上展出 LPDDR6 內(nèi)存。那么預計最快明年上半年，我們就可以用上搭載 LPDDR6 內(nèi)存的新設備了。

但就是 LPDDR6 的普及過程，注定不會特別順利，而且 LPDDR6 作為一項新技術，碰上了內(nèi)存的漲價潮，價格短時間內(nèi)也打不下來。

所以真就應了托尼之前講 PNG2.0 的文章里，提到的那句話，“不要看到新版本號就燃起來”，真想買到搭載 LPDDR6 內(nèi)存的設備，大家還得再耐心等等。