12月15日消息，躺平近日，芯片D芯一支由斯坦福大學、不再卡內(nèi)基梅隆大學、美國賓夕法尼亞大學和麻省理工學院的團隊工程師組成的研究團隊宣布取得重大突破，成功制造出美國首個在商業(yè)代工廠生產(chǎn)的造出單片3D集成電路原型。

這款原型芯片打破了傳統(tǒng)的首顆二維布局，采用單一連續(xù)工藝，單片將存儲器和邏輯電路直接垂直堆疊在一起。片性

其采用SkyWater公司成熟的躺平90nm至130nm工藝，在其200mm生產(chǎn)線上制造而成，芯片D芯集成了傳統(tǒng)的不再硅CMOS邏輯電路、電阻式RAM層和碳納米管場效應(yīng)晶體管。美國

通過這種方式，團隊存儲單元和計算單元之間的造出數(shù)據(jù)路徑被大大縮短，從而顯著提升性能。

研究團隊公布的早期硬件測試結(jié)果顯示，與具有相似延遲和尺寸的同類二維實現(xiàn)方案相比，該堆疊結(jié)構(gòu)的吞吐量提高了約四倍。

除了實測硬件，通過仿真評估更高堆疊層的架構(gòu)，結(jié)果顯示具有更多內(nèi)存和計算層級的設(shè)計在AI工作負載中，性能提升高達12倍。

該團隊進一步指出，通過持續(xù)垂直集成而非一味縮小晶體管尺寸，該架構(gòu)最終有望在能量延遲積（衡量速度和效率的綜合指標）方面，實現(xiàn)100倍到1000倍的提升。

雖然學術(shù)實驗室此前曾展示過實驗性的3D芯片，但該團隊強調(diào)，這項工作的最大不同在于它是在商業(yè)代工廠環(huán)境中制造的，而非定制的研究生產(chǎn)線。