12月19日消息，曝中光刻機(jī)，國秘光刻似乎是密搞中國在高科技領(lǐng)域的最后一個攔路虎了！

據(jù)外媒報道，定第中國一家秘密實驗室已經(jīng)悄然組裝出第一臺EUV極紫外光刻系統(tǒng)的機(jī)逆原型機(jī)，是向功通過逆向工程ASML現(xiàn)有的光刻機(jī)產(chǎn)品而來的，正處于秘密測試階段，曝中計劃2028年試產(chǎn)原型芯片。國秘光刻

如果消息屬實，密搞無疑是定第中國的一次飛躍式突破，短短數(shù)年就掌握了原本需要數(shù)十年的機(jī)逆技術(shù)。

消息稱，向功這一EUV光刻機(jī)原型是曝中2025年初在深圳一處安保嚴(yán)密的設(shè)施內(nèi)組裝完成的，幾乎覆蓋了整個廠房。國秘光刻

它沒有采用清華大學(xué)研發(fā)的密搞基于粒子加速器的穩(wěn)態(tài)微聚束(SSMB)技術(shù)，也沒有使用哈爾濱工業(yè)大學(xué)開發(fā)的放電等離子體(DPP)技術(shù)，而是和ASML Twinscan NXE系列光刻機(jī)相同的激光等離子體(LPP)技術(shù)，可產(chǎn)生波長為13.5納米的極紫外光。

外媒稱，這說明它使用了逆向工程手段，至少整合了大量由ASML首創(chuàng)的核心技術(shù)。

ASML LPP技術(shù)原理如下：

首先將直徑約25-30微米的熔融錫液滴，以每秒約5萬個的速度，注入真空腔體內(nèi)。

隨后，一臺高功率二氧化碳激光器，向每個液滴發(fā)射一束低強(qiáng)度預(yù)脈沖激光，將液滴壓平成圓盤狀。

緊接著再發(fā)射一束能量更強(qiáng)的主脈沖激光，將被壓平的錫靶汽化，形成溫度超過20萬攝氏度的超高溫等離子體。

這種等離子體可發(fā)射出各向同性的極紫外光，隨后由大型多層膜收集鏡收集，并導(dǎo)入光刻機(jī)的反射光學(xué)系統(tǒng)，最終完成對硅晶圓的光刻成像。

這一過程每秒可重復(fù)數(shù)萬次。

報道指出，中國版EUV光刻機(jī)的體積顯著大于ASML同類產(chǎn)品，但已經(jīng)具備極紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。

關(guān)鍵瓶頸在于，中國仍無法復(fù)刻出ASML的高精度光學(xué)系統(tǒng)，甚至無法將極紫外光精準(zhǔn)投射到晶圓上，更談不上完成光刻成像。

同時，極紫外光源的功率指標(biāo)也不清楚，這是決定光刻機(jī)能否實現(xiàn)量產(chǎn)的核心參數(shù)。

此外，超高精度收集鏡系統(tǒng)、照明光學(xué)系統(tǒng)、投影光學(xué)系統(tǒng)、晶圓存儲系統(tǒng)、晶圓臺、掩模臺等光刻機(jī)核心部件的研發(fā)進(jìn)度，也均屬未知。

報道提到，中國EUV光刻機(jī)的研發(fā)團(tuán)隊由前ASML工程師和應(yīng)屆大學(xué)畢業(yè)生組成，不僅聘請了ASML中國分公司的前員工，還吸納了ASML在美國、歐洲、中國臺灣的前雇員。

比如曾負(fù)責(zé)ASML EUV光源技術(shù)的林楠，目前在中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所帶領(lǐng)團(tuán)隊開展研發(fā)，在短短18個月內(nèi)就申請了8項EUV相關(guān)專利。

報道還強(qiáng)調(diào)，為了保密，團(tuán)隊普遍都是用了假身份。

據(jù)說團(tuán)隊的規(guī)劃是希望能在2028年，也就是未來兩三年內(nèi)，產(chǎn)出首批芯片原型，但外媒認(rèn)為2030年才是更現(xiàn)實的時間節(jié)點。

需要明確的是，高端光刻機(jī)的研發(fā)，離不開精密光源、先進(jìn)光學(xué)、超高精度機(jī)械、復(fù)雜控制軟件、特種材料等多個領(lǐng)域技術(shù)的深度集成，而且所有系統(tǒng)都必須在納米級公差范圍內(nèi)穩(wěn)定、長期運(yùn)行。

EUV光刻機(jī)更是極為龐雜，包含超過10萬個零部件，對其進(jìn)行逆向復(fù)刻的難度堪比登天，需要幾百名具備專業(yè)知識的工程師協(xié)同攻關(guān)，也不一定能成功。

ASML在看到報道后也聲明稱：“想要復(fù)刻我們的技術(shù)，這一想法可以理解，但真正付諸實踐絕非易事。”

綜合來看，外媒的報道往往存在大量誤導(dǎo)甚至錯誤信息，大家看看就好。