隨著AI技術全面滲透電子產(chǎn)品，乘A潮加產(chǎn)傳統(tǒng)PC市場迎來結構性升級。速普石在行業(yè)增長放緩的及長背景下，AI PC被視為激發(fā)新一輪換機潮的鑫量“殺手級應用”。AI的奠定產(chǎn)普及對內存提出了更高要求：既需具備LPDDR級別的高帶寬與低功耗以支持本地AI推理，又需保留SO-DIMM的業(yè)基可升級性與可維護性。這一需求矛盾直接推動了LPCAMM技術的乘A潮加產(chǎn)誕生。

LPCAMM以前沿的速普石模塊化設計，實現(xiàn)了高性能與可升級性的及長統(tǒng)一。其將LPDDR5/5X芯片封裝于可替換模塊中，鑫量在提供與焊接式內存相當?shù)牡於óa(chǎn)高帶寬、低延遲與低功耗的業(yè)基同時，支持用戶自主升級，乘A潮加產(chǎn)顯著提升了設備生命周期與使用靈活性。速普石相比傳統(tǒng)SO-DIMM方案，及長LPCAMM可節(jié)省高達60%的主板空間，為AI PC的電池、散熱與其他功能模組留出更多設計余地，助力打造更輕薄、更強性能的終端產(chǎn)品。

目前，聯(lián)想、戴爾、仁寶電腦等主要的PC制造商在積極推廣采用了LPCAMM的筆記本電腦。三星電子于2023年9月宣布推出LPCAMM規(guī)格內存模組，于2024年實現(xiàn)商業(yè)化；美光科技于2024年推出了LPCAMM2內存。國內唯一一家DRAM制造商長鑫存儲，也推出了容量為16GB和32GB的LPCAMM2內存模組。展現(xiàn)出與國際同步的產(chǎn)業(yè)協(xié)同能力。

LPCAMM技術的核心驅動力來自LPDDR5X內存，而長鑫存儲在此關鍵領域已實現(xiàn)重要進展。據(jù)官網(wǎng)信息，長鑫存儲LPDDR5X產(chǎn)品已實現(xiàn)部分量產(chǎn)，產(chǎn)品陣容包括顆粒、芯片及模組等形態(tài)。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。LPDDR5X產(chǎn)品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時兼容LPDDR5，其中10667Mbps速率實現(xiàn)國內首次技術突破，直接躋身業(yè)界先進水平。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產(chǎn)品已于今年5月量產(chǎn)，10667Mbps速率的產(chǎn)品已經(jīng)啟動客戶送樣。

值得注意的是，長鑫科技LPDDR5X產(chǎn)品在10667Mbps速率的技術突破，精準命中了當前端側AI爆發(fā)的核心需求。在內存帶寬成為設備性能關鍵瓶頸的當下，實測證實，搭載該速率內存的設備在處理Llama 2等大模型時，響應速度與語音轉譯等任務效率顯著提升。對旗艦手機而言，這意味著8K視頻連拍、高幀率多任務等高負載場景得以流暢運行，打破了國產(chǎn)終端依賴進口內存實現(xiàn)頂級性能的被動局面。

當前，LPDDR5X已成為高端移動設備的核心配置，全面覆蓋蘋果、三星、華為、小米、OPPO、vivo、榮耀等主流手機品牌機型。與此同時，該內存標準也正加速向高端筆記本、AI平板及下一代AR/VR設備滲透，成為平衡算力性能與能效功耗的關鍵選擇。

據(jù)悉，長鑫存儲也正在研發(fā)厚度僅0.58mm的LPDDR5X芯片，量產(chǎn)后有望成為全球最薄的DRAM產(chǎn)品。超薄封裝能有效節(jié)省主板空間，從而為手機容納更大容量電池或復雜多攝模組提供了可能。值得關注的是，長鑫目前正在開發(fā)的HiTPoP封裝技術嚴格遵循JEDEC制定的焊球布局標準，確保與現(xiàn)有主板設計兼容，通過減薄技術，有望改善因SoC溫升導致的DRAM高速IO性能瓶頸。

作為國內存儲產(chǎn)業(yè)的重要力量，長鑫存儲已成功構建覆蓋從DDR4、LPDDR4X、LPDDR5到DDR5的完整產(chǎn)品矩陣，其清晰而連貫的技術迭代路徑，標志著長鑫存儲技術創(chuàng)新實力已邁入國際主流競爭行列。長鑫存儲最新推出的LPDDR5X產(chǎn)品不僅完善其產(chǎn)品矩陣，更實現(xiàn)了從推進產(chǎn)業(yè)化發(fā)展到核心性能比肩國際巨頭的一次關鍵突破。未來，長鑫存儲有望在全球半導體格局中占據(jù)更加有利的市場地位。